Intel lanza el primer SSD QLC NAND para consumidores

Función Intel-QLC

Hay dos formas de mejorar la densidad de almacenamiento SSD ahora que casi todas las empresas están a bordo con 3D NAND: apile más capas de NAND una encima de la otra, o almacene más datos por celda de memoria NAND. Los avances en este último han sido pocos y espaciados. Originalmente, SSD almacenó solo un bit de datos por celda. Se tuvo que desarrollar MLC NAND (dos bits de almacenamiento) antes de que las unidades comenzaran a proliferar, y TLC (celda de triple nivel) tomó la NAND principal. Ahora Intel es la primera empresa en lanzar una unidad QLC (celda de cuatro niveles) para el consumidor, y aunque Micron lideró con una oferta empresarial a principios de este año, un nuevo producto QLC sigue siendo una primicia importante. El nuevo Intel 660p es un reemplazo de la anterior serie 600p.

Desafortunadamente, y esto es simplemente una función de cómo funciona NAND, no hay forma de aumentar la capacidad de almacenamiento aumentando la cantidad de datos almacenados por celda sin afectar simultáneamente el rendimiento. A medida que aumenta el número de bits de información en la celda, también aumenta el número de niveles de voltaje discretos programados dentro de esa celda. Cuantos más niveles de voltaje, más tiempo se tarda en programar la NAND y más cuidado debe tener el controlador para no sobrescribir de manera inapropiada las celdas adyacentes al realizar escrituras. Anandtech tiene una revisión de las nuevas unidades y sus especificaciones y precios:

660p-especificaciones

Imagen de Anandtech



Al igual que con TLC, el almacenamiento en caché de SLC (celda de un solo nivel) se utiliza para mejorar el rendimiento de la unidad. Al tener una pequeña partición de SLC NAND en el disco, Intel puede acelerar los casos de uso más comunes mientras sigue ofreciendo una capacidad de almacenamiento de bajo costo. En realidad, esto requirió que AT cambiara su protocolo de prueba: a bajas tasas de llenado de almacenamiento, la unidad trata principalmente a la unidad QLC como una caché SLC. A medida que la unidad se llena, la cantidad de espacio disponible para el almacenamiento en caché de SLC disminuye y el rendimiento de la unidad disminuye con él.

latencia intensa

En la mayoría de los casos, la penalización por una unidad completa no es tan mala, pero la diferencia entre el rendimiento vacío y el rendimiento completo suele ser grande. Datos de Anandtech

El gráfico aquí es de un solo punto de referencia (recomendamos leer toda la revisión), pero muestra la división entre cuándo el caché SLC está disponible y cuándo no. Si mantiene esta unidad ligeramente cargada, ofrece un rendimiento asombroso, a menudo compitiendo bien con otras unidades NVMe mucho más caras. Si lo carga casi por completo, el rendimiento puede caer drásticamente. Sin embargo, como señala AT, en realidad es raro que las unidades se golpeen tanto. La mayoría de los usuarios tienen cargas de trabajo de almacenamiento relativamente livianas y una unidad flexible como esta puede ofrecer un alto rendimiento en la mayor parte de su capacidad.

La única razón para esperar sería ver si las unidades QLC tienen alguno de los problemas que plagaron las unidades TLC al principio de sus vidas. No quiero exagerar la comparación aquí, porque ha habido un cambio importante: cuando las unidades TLC como la 840 Evo tuvieron problemas, se estaban construyendo con NAND planar de 20 nm. En la actualidad, utilizamos 3D NAND en un proceso más amplio para fabricar las unidades. Eso es lo que hizo posible QLC en primer lugar, y es por eso que puede que no sea exacto asumir que los problemas con TLC darán lugar a problemas con QLC. De todos modos, advertencia emptor, al menos por ahora. Tenga en cuenta que en el pasado, los cambios en los valores de voltaje a lo largo del tiempo requerían que las unidades recibieran actualizaciones de firmware para preservar el rendimiento.

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